什么是晶體缺陷?
發(fā)布日期：2021-01-13
什么是晶體缺陷?
晶體內(nèi)的原子是按一定的的原則周期性地排列著的。如果在晶體中的一些區(qū)域，這種排列遭到破壞，稱這種破壞為晶體缺陷。晶體缺陷對半導體材料的使用性影響很大，在大多數(shù)的情況下，它使器件性能劣化直至失效。因此在材料的制備過程中都要盡量排除缺陷或降低其密度。晶體缺陷的控制是材料制備的重要技術(shù)。
晶體缺陷的種類:
(1)點缺陷，如空位、間隙原子、反位缺陷、替位缺陷和由它們構(gòu)成的復(fù)合體。
(2)線缺陷，呈線狀排列，如位錯就是這種缺陷。
(3)面缺陷，呈面狀，如晶界、堆垛層錯、相界等。
(4)體缺陷，如空洞、夾雜物、雜質(zhì)沉淀物等。
(5) 微缺陷，幾何尺寸在微米級或更小，如點缺陷聚集物等。
